Транзисторы КТ960А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-32. ип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max | IК max | IК. И. max | UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | UПИТ max | РК. СР. max | h21Э | UКЭ нас. | IКЭR | IЭБО | f гp. | PВЫХ | КУР | А | А | В | В | В | В | Вт | | В | мА | мА | ГГц | Вт | дБ | °С | °С | 2Т960А | n-p-n | 7 | - | 36 | - | 4 | 12,6 | 70 | - | <0,08 | <20 | <10 | >0,6 | >40 | >2,5 | 160 | -60…+125 | КТ960А | n-p-n | 7 | - | 36 | - | 4 | 12,6 | 70 | - | <0,08 | <20 | <10 | >0,6 | >40 | >2,5 | 160 | -40…+85 | Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю. • UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания. • РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • PВЫХ - выходная мощность транзистора. • КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды. Скачать datasheet ![](templates/Helius-Original/images/infobox/corner_left.gif) | Спецификации: | ![](templates/Helius-Original/images/infobox/corner_right_left.gif) | | |